ИВ РАН

Востоковед

Худяков
Дмитрий Андреевич

кандидат филологических наук

Институт востоковедения РАН » Отдел Китая


 

Научные интересы

философия и религия в Китае, текстология, теоретическая грамматика, теория и практика перевода, палеография и теория письма.

Биография

В 2007 г. окончил ИСАА МГУ (экономическое отделение, специалист). В том же году поступил в аспирантуру ИСАА МГУ на филологическое отделение.
Кандидат филологических наук (МГУ им. М.В.Ломоносова, 2012), тема диссертации: «Фонетические знаки тангутского письма. Звуковой тип -u», специальность: 10.02.22. Языки народов зарубежных стран Европы, Азии, Африки, аборигенов Америки и Австралии.
Знание языков: китайский, английский, немецкий, французский, японский, латинский языки.

Преподавание

С 2006 г. преподает в ИСАА китайский язык на разных курсах, в т.ч. классический китайский язык вэньянь. С 2009 г. работает в ГАУГН (Государственный академический университет гуманитарных наук). С 2011 г. является научным сотрудником отдела Китая Института востоковедения РАН, а также преподавателем кафедры восточной филологии отделения востоковедения НИУ ВШЭ.


Публикации:

  1. К этимологии тангутских циклических знаков и календарной лексики // ВЕСТН. МОСК. УН-ТА. СЕР. 13. ВОСТОКОВЕДЕНИЕ. 2012. № 1. С. 24-35.
  2. Место тангутского письма среди письменностей Восточной Азии: о генезисе и структуре тангутского письма // Вестн. Новосиб. гос. ун-та, Серия: История, филология. 2012. Т. 11, Вып. 4: Востоковедение. С. 64−69.
  3. О диакритике в дальневосточных письменностях // Невские чтения: международный симпозиум в честь 120-летия со дня рождения Н.А. Невского (Санкт-Петербург, 3-5 октября 2012г.): тезисы и доклады / Отв. ред.: В. Щепкин. СПб.: Институт восточных рукописей РАН, 2012. С. 127-128.
  4. Фонетическая структура тангутской письменности // Общество и государство в Китае: XLII научная конференция: Часть. 2 / Ин-т востоковедения РАН. - М.: Учреждение Российской академии наук Институт востоковедения (ИВ РАН), 2012. - 395 стр. - Ученые записки Отдела Китая ИВ РАН. Вып. 6. С. 300-310.